- Intel supera el millón de obleas con litografía High-NA EUV, adelantándose a la competencia.
- Samsung y TSMC confirman su adopción para 2028 y 2030, respectivamente.
- La industria impulsa máscaras de 12 pulgadas para aumentar la productividad hasta un 40%.
- ASML refuerza su posición como proveedor clave en Europa.
La carrera por la fabricación de semiconductores más avanzados ha dado un paso decisivo. Intel y ASML han confirmado que la tecnología de litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica (High-NA EUV) ya está produciendo resultados tangibles. Intel ha procesado más de un millón de obleas de 300 milímetros con estas máquinas, un hito que la sitúa varios años por delante de sus competidores. Mientras tanto, Samsung y TSMC han anunciado sus planes para adoptar esta tecnología, aunque con calendarios más retrasados.
Esta tecnología es la evolución de la litografía EUV convencional que utilizan todos los fabricantes punteros. High-NA permite imprimir patrones más finos y reducir la necesidad de múltiples exposiciones, lo que abarata y agiliza la producción de chips complejos. Sin embargo, su adopción no está exenta de desafíos, como la limitación del campo de exposición y la necesidad de nuevas máscaras. La industria ya trabaja en soluciones que podrían aumentar la eficiencia en un 40%.
Intel marca el ritmo con un millón de obleas procesadas
Intel Foundry se ha convertido en el primer fabricante del mundo en utilizar equipos High-NA EUV en producción de alto volumen. Según los datos presentados en la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, celebrada en Monterey (California), la compañía superó el millón de obleas procesadas en menos de dos años y medio desde la instalación de su primera herramienta. Ese volumen incluye tareas de investigación, desarrollo, certificación y producción real de algunas capas de los procesadores Intel Core Ultra Series 3, cuyo nombre clave es Panther Lake, fabricados en el nodo Intel 18A.
La cifra es especialmente relevante porque, según Intel, supera el volumen combinado del resto de la industria. Además, la compañía asegura que el rendimiento de las máquinas cumple con las expectativas en cuanto a precisión, velocidad y disponibilidad. Los chips fabricados con High-NA en el proceso 18A igualan o superan el rendimiento de las capas equivalentes producidas con la tecnología EUV anterior, lo que refuerza la confianza en su hoja de ruta.
El consejero delegado de ASML, Christophe Fouquet, ha destacado el papel de Intel como «uno de los líderes clave» en la adopción de High-NA, subrayando su contribución a llevar esta tecnología a la producción comercial. Esta ventaja temprana podría traducirse en una mejor posición competitiva para Intel en el mercado de fundición, aunque todavía queda por ver si conseguirá fabricar parte de los próximos chips Apple Silicon para clientes externos como Apple o Nvidia.
Samsung y TSMC se suben al carro
Mientras Intel ya está en plena producción, Samsung y TSMC han confirmado sus planes para adoptar High-NA EUV en los próximos años. Samsung tiene previsto introducir esta tecnología en la fabricación de memorias DRAM a partir de 2028, lo que supondría la primera aplicación de High-NA en el campo de las memorias. Por su parte, TSMC, el mayor fabricante de semiconductores avanzados del mundo, comenzará a utilizarla para nodos avanzados desde 2030. La decisión de TSMC ha sido largamente esperada, ya que anteriormente había mostrado reticencias por el coste de las máquinas, que ronda los 400 millones de dólares por unidad.
Ambas compañías se suman así al consorcio impulsado por ASML para desarrollar el ecosistema de High-NA. Además, junto con Intel, han respaldado una iniciativa para cambiar el estándar de las máscaras fotolitográficas, pasando de las actuales de 6 pulgadas a un formato de 12 pulgadas (más concretamente, 6×12 pulgadas). Este cambio es crucial porque las máscaras actuales limitan el campo de exposición de los escáneres High-NA, lo que obliga a los fabricantes a utilizar una técnica llamada stitching (unión de campos) para producir chips grandes, especialmente los destinados a inteligencia artificial.
El stitching consiste en dividir el diseño de un chip en dos mitades y exponerlas por separado, para después unirlas con una precisión extrema. Este proceso reduce el rendimiento de las máquinas y aumenta el riesgo de defectos. Por eso, la industria busca máscaras más grandes que permitan exponer el campo completo de 26×33 milímetros de una sola vez. Según Marco Pieters, director de tecnología de ASML, si esta transición se completa con éxito, la productividad de los sistemas High-NA podría aumentar hasta un 40%, un avance significativo para la fabricación de chips de gran tamaño.
El reto de las máscaras de 12 pulgadas: un cambio de paradigma
La transición a máscaras de 12 pulgadas no es un simple cambio de tamaño. Implica rediseñar toda la cadena de suministro: sustratos, recubrimientos, escritores de patrones, sistemas de inspección y metrología, limpieza, contenedores y robots de manipulación. Además, los propios escáneres deberán modificarse para aceptar estas nuevas retículas. Por eso, el calendario prevé una línea piloto para 2031 y una preparación para producción en masa en 2033.
Intel lleva más de tres años impulsando este formato, lo que le otorga una ventaja de primer movimiento si el cambio se concreta. La compañía, que además controla IMS Nanofabrication, un fabricante de equipos de escritura de máscaras por haz de electrones, podría influir en las especificaciones del nuevo estándar. Mientras tanto, el stitching seguirá siendo la norma para los chips grandes, pero las nuevas máscaras prometen simplificar el proceso y reducir los costes.
Una oportunidad para la industria europea
El protagonismo de ASML, una empresa neerlandesa, en este avance tecnológico refuerza la posición de Europa en la cadena de valor de los semiconductores. ASML es el único proveedor mundial de litografía EUV, incluida la variante High-NA, y su éxito tiene un impacto directo en la economía europea. La compañía ha elevado sus previsiones de ventas para 2026 hasta un rango de 43.000 a 45.000 millones de euros, impulsada por la demanda de la inteligencia artificial. Además, planea ampliar su capacidad de producción en un 30% para los próximos años.
Este dinamismo contrasta con la situación de otros actores europeos, pero demuestra que el sector de los semiconductores sigue siendo un pilar estratégico para el continente. La colaboración entre Intel, ASML, Samsung y TSMC no solo acelerará el desarrollo de High-NA, sino que también garantizará que Europa siga siendo un centro de innovación en el diseño y fabricación de chips. La adopción generalizada de High-NA EUV podría sentar las bases de la próxima generación de procesadores y memorias, con un impacto directo en el rendimiento de las aplicaciones de IA y centros de datos.
En definitiva, el anuncio de Intel y ASML marca un antes y un después en la litografía de semiconductores. Con más de un millón de obleas procesadas, Intel demuestra que la tecnología es viable y rentable. Samsung y TSMC ya han confirmado su incorporación, lo que garantiza un mercado amplio para ASML. El desarrollo de máscaras de 12 pulgadas es la próxima frontera, y si se supera, la productividad aumentará notablemente. Europa, desde su papel de proveedor clave, se beneficiará de esta ola innovadora que promete transformar la industria tecnológica mundial.
